metal gate製程
我們發現對元件的High-K-Metalgate界面作CF4電漿處理,並在製程中施加較低溫的PMA,可得到功函數較高的元件。CF4電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數,需注意的是,當 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程,可以控制金屬氧化物半導體場效電...
Why PolySi → HKMG
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2023年6月11日—WhyPolySitoHKMG.High-KMetalGate;隨元件/製程微縮,接近導體的PolySilicon(N+/P+Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體,在小尺寸下,閘極 ...
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